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FDC604P
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FDC604P 数据手册 (6 页)
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FDC604P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-5.50 A
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
33 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
输入电容
1.93 nF
栅电荷
19.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
-20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
-5.50 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1926pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6 W

FDC604P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDC604P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 1.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDC604 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC604P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC604P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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