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FDC6301N_Q
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FDC6301N_Q 数据手册 (5 页)
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FDC6301N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SSOT-6
极性
N-CH
功耗
900 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
0.22A
上升时间
4.5 ns
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDC6301N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm

FDC6301N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.24 MByte

FDC6301 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N通道FET数字 Dual N-Channel , Digital FET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6301N..  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 5 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 5 ohm, 4.5 V, 850 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N通道FET数字 Dual N-Channel , Digital FET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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