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FDC6303N
0.181
FDC6303N 数据手册 (2 页)
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FDC6303N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
680 mA
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
450 mΩ
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
900 mW
阈值电压
800 mV
输入电容
50.0 pF
栅电荷
1.64 nC
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25.0 V
栅源击穿电压
8.00 V
连续漏极电流(Ids)
680 mA
上升时间
8.5 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.9 W

FDC6303N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDC6303N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

FDC6303 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
数字场效应管,双N沟道 Digital FET, Dual N-Channel
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6303N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
数字 FET,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
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