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FDC6303N_NL
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FDC6303N_NL 数据手册 (6 页)
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FDC6303N_NL 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SuperSOT
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
0.68A

FDC6303N_NL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FDC6303N_NL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.08 MByte

FDC6303 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
数字场效应管,双N沟道 Digital FET, Dual N-Channel
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6303N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
数字 FET,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
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