Web Analytics
Datasheet 搜索 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDC6306P_Q Datasheet 文档
FDC6306P_Q
0
FDC6306P_Q 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDC6306P_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SSOT-6
极性
P-CH
功耗
0.96 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.9A
上升时间
9 ns
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDC6306P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

FDC6306P_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte

FDC6306 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z