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FDC6306P_Q
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FDC6306P_Q 数据手册 (7 页)
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FDC6306P_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SSOT-6
极性
P-CH
功耗
0.96 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.9A
上升时间
9 ns
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDC6306P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

FDC6306P_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte

FDC6306 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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