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FDC638P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDC638P 数据手册 (5 页)

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FDC638P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-4.50 A

封装

TSOT-23-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.039 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.6 W

输入电容

1.16 nF

栅电荷

10.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-4.50 A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

1160pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6 W

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FDC638P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDC638P 符合标准

FDC638P 海关信息

FDC638P 概述