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FDC645N
0.394
FDC645N 数据手册 (6 页)
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FDC645N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
5.50 A
封装
TSOT-23-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.6 W
阈值电压
1.4 V
输入电容
1.46 nF
栅电荷
13.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
1460pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

FDC645N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC645N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 1.89 MByte

FDC645 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC645N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC645N, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SSOT封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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