FDC653N

￥ 19.959

FDC653N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC653N 数据手册 (5 页)

FDC653N 数据手册 (5 页)

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FDC653N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

35 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.6 W

阈值电压

1.7 V

输入电容

350 pF

栅电荷

12.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

查看数据手册 >

FDC653N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDC653N 符合标准

FDC653N 海关信息

FDC653N 概述

FDC653N 数据手册

FDC653N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.07 MByte

FDC653N 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC653N 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC653N 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.07 MByte

FDC653N 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

FDC653 数据手册

FDC653 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FDC653N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V

FDC653N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装

FDC653N_F095 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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