FDC6561AN

￥ 0.32

FDC6561AN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC6561AN 数据手册 (6 页)

FDC6561AN 数据手册 (6 页)

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FDC6561AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

2.50 A

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.082 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

960 mW

阈值电压

1.8 V

输入电容

220 pF

栅电荷

2.30 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

10.0 ns

输入电容值(Ciss)

220pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.96 W

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FDC6561AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC6561AN 符合标准

FDC6561AN 海关信息

FDC6561AN 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.17 MByte

FDC6561AN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC6561AN 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC6561AN 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

FDC6561 数据手册

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