Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDD10AN06A0 Datasheet 文档
FDD10AN06A0
0.773
FDD10AN06A0 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDD10AN06A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0094 Ω
极性
N-Channel
功耗
135 W
阈值电压
4 V
输入电容
1.84 nF
栅电荷
28.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
-60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
79 ns
输入电容值(Ciss)
1840pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
135 W
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
135 W

FDD10AN06A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD10AN06A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.74 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDD10AN06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z