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FDD10AN06A0_F085
0.965
FDD10AN06A0_F085 数据手册 (11 页)
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FDD10AN06A0_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
9.4 mΩ
极性
N-CH
功耗
135 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
79 ns
输入电容值(Ciss)
1840pF @25V(Vds)
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
135W (Tc)

FDD10AN06A0_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD10AN06A0_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
14 页 / 0.49 MByte

FDD10AN06A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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