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FDD120AN15A0
0.542
FDD120AN15A0 数据手册 (13 页)
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FDD120AN15A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
14.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.101 Ω
极性
N-Channel
功耗
65 W
阈值电压
4 V
输入电容
770 pF
栅电荷
11.2 nC
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
770pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
65 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
65W (Tc)

FDD120AN15A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD120AN15A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.71 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FDD120AN15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD120AN15A0, 14 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 150V 14A
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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