FDD16AN08A0

￥ 1

FDD16AN08A0 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDD16AN08A0 数据手册 (12 页)

封装尺寸在11 页

FDD16AN08A0 数据手册 (12 页)

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FDD16AN08A0 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

75.0 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.013 Ω

极性

N-Channel

功耗

135 W

阈值电压

4 V

输入电容

1.87 nF

栅电荷

31.0 nC

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

54 ns

输入电容值(Ciss)

1874pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

135 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

135 W

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FDD16AN08A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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FDD16AN08A0 符合标准

FDD16AN08A0 海关信息

FDD16AN08A0 概述

FDD16AN08A0 数据手册

FDD16AN08A0 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

12 页 / 0.76 MByte

FDD16AN08A0 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDD16AN08A0 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

FDD16AN08A0 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FDD16AN08A0 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDD16AN08 数据手册

FDD16AN08A0 数据手册

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FDD16AN08A0 系列 75 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA

FDD16AN08A0_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道 75V 50A 9A

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