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FDD16AN08A0
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FDD16AN08A0 数据手册 (12 页)
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FDD16AN08A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.013 Ω
极性
N-Channel
功耗
135 W
阈值电压
4 V
输入电容
1.87 nF
栅电荷
31.0 nC
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
54 ns
输入电容值(Ciss)
1874pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
135 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
135 W

FDD16AN08A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDD16AN08A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.76 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDD16AN08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD16AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FDD16AN08A0 系列 75 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 75V 50A 9A
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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