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FDD4685_F085
0.736
FDD4685_F085 数据手册 (8 页)
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FDD4685_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
功耗
83 W
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
2380pF @20V(Vds)
下降时间
14 ns
耗散功率(Max)
83W (Tc)

FDD4685_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDD4685_F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.79 MByte

FDD4685 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD4685  晶体管, MOSFET, P沟道, 32 A, -40 V, 0.023 ohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -32 A, -40 V, 0.023 ohm, -10 V, -1.6 V
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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