FDD4685TF_SB82135 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD4685  晶体管, MOSFET, P沟道, 32 A, -40 V, 0.023 ohm, -10 V, -1.6 V

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

晶体管, MOSFET, P沟道, -32 A, -40 V, 0.023 ohm, -10 V, -1.6 V