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FDD6630A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FDD6630A 系列 30 V 35 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD6630A 数据手册

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FDD6630A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

28 mΩ

功耗

28 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

462pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

28 W

FDD6630A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

FDD6630A 符合标准

FDD6630A 概述

FDD6630A 数据手册

FDD6630A 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDD6630A 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

FDD6630A 产品修订记录

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