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FDD6670AL
1.01
FDD6670AL 数据手册 (6 页)
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FDD6670AL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
84.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
8.00 mΩ
极性
N-Channel
功耗
83W (Ta)
输入电容
3.84 nF
栅电荷
37.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
84.0 A
上升时间
13.0 ns
输入电容值(Ciss)
3845pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
耗散功率(Max)
83W (Ta)

FDD6670AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD6670AL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.29 MByte

FDD6670 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6670A, 66 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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