￥ 0.258

FDD6N25TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 250 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD6N25TM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDD6N25TM 数据手册 (8 页)

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FDD6N25TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

50 mW

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

5 V

输入电容

250 pF

栅电荷

6.00 nC

漏源极电压(Vds)

250 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.40 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

250pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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FDD6N25TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDD6N25TM 符合标准

FDD6N25TM 海关信息