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FDD850N10L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD850N10L, 15.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD850N10L 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDD850N10L 数据手册 (8 页)

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FDD850N10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输入电容

1100 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

52 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50 W

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FDD850N10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

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FDD850N10L 符合标准

FDD850N10L 概述

FDD850N10L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.31 MByte

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