器件3D模型

￥ 0.29

FDFS6N303 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDFS6N303 数据手册 (5 页)

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FDFS6N303 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

6.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

35.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

900mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

12.0 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

耗散功率(Max)

900mW (Ta)

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FDFS6N303 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDFS6N303 符合标准

FDFS6N303 海关信息

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5 页 / 0.06 MByte

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