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FDG6301N_Q
器件3D模型
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FDG6301N_Q 数据手册 (6 页)
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FDG6301N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
通道数
2 Channel
漏源极电阻
4 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
栅源击穿电压
8.00 V
连续漏极电流(Ids)
220 mA
上升时间
4.5 ns
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDG6301N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.1 mm

FDG6301N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte

FDG6301 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6301N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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