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FDG6320C
器件3D模型
0.495
FDG6320C 数据手册 (9 页)
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FDG6320C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
220 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
4 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
850 mV
输入电容
12.0 pF
栅电荷
220 pC
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
220 mA
上升时间
8.00 ns
输入电容值(Ciss)
9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.3 W

FDG6320C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDG6320C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.06 MByte

FDG6320 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6320C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6320C, 140 mA,220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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