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FDG6321C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOT-363-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, 表面安装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDG6321C 数据手册 (9 页)

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FDG6321C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.45 Ω

功耗

300 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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FDG6321C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDG6321C 符合标准

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