器件3D模型

￥ 1.098

FDG6335N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDG6335N 数据手册 (5 页)

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FDG6335N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

700 mA

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

300 mW

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

700 mA

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

113pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

1.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.3 W

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FDG6335N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDG6335N 符合标准

FDG6335N 海关信息

FDG6335N 概述