器件3D模型

￥ 0.623

FDG8842CZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N/P沟道 MOSFET FDG8842CZ, 410 mA，750 mA, Vds=25 V，30 V, 6引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDG8842CZ 数据手册 (8 页)

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FDG8842CZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

功耗

380 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30V, 25V

输入电容值(Ciss)

120pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360 mW

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FDG8842CZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

查看数据手册 >

FDG8842CZ 符合标准

FDG8842CZ 概述

FDG8842CZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.44 MByte

FDG8842CZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.55 MByte

FDG8842CZ 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.71 MByte

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