Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDH44N50 Datasheet 文档
FDH44N50
9.625
FDH44N50 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDH44N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
44.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-Channel
功耗
750 W
阈值电压
3.15 V
输入电容
5.34 nF
栅电荷
90.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
44.0 A
上升时间
84 ns
输入电容值(Ciss)
5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
750 W
下降时间
79 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750W (Tc)

FDH44N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDH44N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDH44 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
Fairchild(飞兆/仙童)
高压通用二极管 High Voltage General PurPose Diodes
Fairchild(飞兆/仙童)
小信号开关二极管,Fairchild Semiconductor### 二极管和整流器,Fairchild Semiconductor无论您是进行新设计、还是采购,Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 二极管 FDH444TR, Io=200mA, Vrev=150V, 60ns, 2引脚 DO-35封装
ON Semiconductor(安森美)
FDH444: 100V/0.2A小信号通用二极管
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z