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FDMC7660DC
0.792
FDMC7660DC 数据手册 (8 页)
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FDMC7660DC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0016 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
30A
上升时间
6.6 ns
输入电容值(Ciss)
5170pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 78W (Tc)

FDMC7660DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMC7660DC 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.17 MByte

FDMC7660 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7660DC  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 30A, POWER33
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 30A, POWER33
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
Freescale(飞思卡尔)
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