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FDMC8200S_F106
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FDMC8200S_F106 数据手册 (12 页)
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FDMC8200S_F106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
PowerWDFN-8
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
700mW, 1W

FDMC8200S_F106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

FDMC8200S_F106 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.45 MByte

FDMC8200 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8200  场效应管, MOSFET, N沟道, 8A, 30V
ON Semiconductor(安森美)
FETDUALCHANNEL,FDMC8200 编带
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8200S, 23 A,46 A, Vds=30 V, 8引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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