器件3D模型

￥ 0.912

FDMC86160 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

QFN

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMC86160 数据手册 (5 页)

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FDMC86160 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

QFN

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0112 Ω

功耗

54 W

阈值电压

2.9 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

3.6 ns

输入电容值(Ciss)

968pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

54 W

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FDMC86160 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDMC86160 符合标准

FDMC86160 概述

FDMC86160 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.19 MByte

FDMC86160 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.25 MByte

FDMC86160 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.57 MByte

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