FDMD8240L

￥ 1.155

FDMD8240L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

PowerWDFN-12

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8240L 双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDMD8240L 数据手册 (7 页)

FDMD8240L 数据手册 (7 页)

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FDMD8240L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

12 Pin

封装

PowerWDFN-12

通道数

2 Channel

针脚数

12 Position

漏源极电阻

0.002 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

42 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

23A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

4230pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

FDMD8240L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

3.3 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMD8240L 符合标准

FDMD8240L 数据手册

FDMD8240L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.4 MByte

FDMD8240L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.44 MByte

FDMD8240L 产品封装文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.03 MByte

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双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V

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