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FDME1024NZT
0.655
FDME1024NZT 数据手册 (7 页)
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FDME1024NZT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
MicroFET-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.055 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
1.4 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.8A
上升时间
2 ns
输入电容值(Ciss)
225pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
600 mW
下降时间
1.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

FDME1024NZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDME1024NZT 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.17 MByte

FDME1024 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1024NZT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
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