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FDMS7672AS
0.458
FDMS7672AS 数据手册
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FDMS7672AS 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2120pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FDMS7672AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDMS7672AS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.49 MByte

FDMS7672 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDMS7672: N 沟道,PowerTrench MOSFET,30V,5.0mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道的PowerTrench SyncFET 30 V , 42 A, 4MΩ N-Channel PowerTrench® SyncFET 30 V, 42 A, 4 mΩ
ON Semiconductor(安森美)
表面贴装型 N 通道 30V 19A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) 8-PQFN(5x6)
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