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FDMS8558S
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FDMS8558S 数据手册 (9 页)
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FDMS8558S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-56-8
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
38A
输入电容值(Ciss)
5118pF @13V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
78 W

FDMS8558S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.1 mm
宽度
5.85 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS8558S 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.43 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.41 MByte

FDMS8558 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8558SDC  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8558S, 90 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
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