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FDN308P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDN308P 数据手册 (14 页)

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封装尺寸在10 页

FDN308P 数据手册 (14 页)

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FDN308P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-1.50 A

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.125 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

输入电容

341 pF

栅电荷

3.80 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-1.50 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

341pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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FDN308P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDN308P 符合标准

FDN308P 海关信息