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FDN327N
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FDN327N 数据手册 (6 页)
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FDN327N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
2.00 A
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
700 mV
输入电容
423 pF
栅电荷
4.50 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
6.5 ns
输入电容值(Ciss)
423pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

FDN327N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN327N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte

FDN327 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN327N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
FDN327N 系列 20 V 70 mOhm N 沟道 1.8 Vgs 指定 PowerTrench Mosfet SSOT-3
Freescale(飞思卡尔)
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