Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDN361AN Datasheet 文档
FDN361AN
0.23
FDN361AN 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDN361AN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.80 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
72.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
500mW (Ta)
输入电容
220 pF
栅电荷
2.10 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.80 A
上升时间
11.0 ns
输入电容值(Ciss)
220pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

FDN361AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN361AN 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.75 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.92 MByte

FDN361 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN361BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平的PowerTrenchビヌ N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z