FDN361BN

￥ 0.081

FDN361BN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN361BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDN361BN 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

FDN361BN 数据手册 (10 页)

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FDN361BN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.092 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

193pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

查看数据手册 >

FDN361BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.4 mm

宽度

2.92 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDN361BN 符合标准

FDN361BN 海关信息

FDN361BN 数据手册

FDN361BN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.26 MByte

FDN361BN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDN361BN 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

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