￥ 0.146

FDN5618P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDN5618P 数据手册 (5 页)

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FDN5618P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.17 Ω

功耗

0.5 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

430pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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FDN5618P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDN5618P 符合标准

FDN5618P 概述

FDN5618P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.2 MByte

FDN5618P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

FDN5618P 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.04 MByte

FDN5618P 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.6 MByte

FDN5618P 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

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