FDN5618P

￥ 0.111

FDN5618P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN5618P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDN5618P 数据手册 (5 页)

FDN5618P 数据手册 (5 页)

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FDN5618P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-1.25 A

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

170 mΩ

极性

P-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

20 V

输入电容

430 pF

栅电荷

8.60 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

-200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.20 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

430pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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FDN5618P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDN5618P 符合标准

FDN5618P 海关信息

FDN5618P 数据手册

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8 页 / 0.09 MByte

FDN5618P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDN5618P 产品手册

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8 页 / 0.37 MByte

FDN5618P 其他参考文件

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