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FDP030N06B-F102
0.839
FDP030N06B-F102 数据手册
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FDP030N06B-F102 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
功耗
205 W
上升时间
33 ns
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDP030N06B-F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

FDP030N06B-F102 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
0 页 / 0.73 MByte

FDP030N06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 60V , 195A , 3.1米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 195A, 3.1m
ON Semiconductor(安森美)
FDP030N06B_F102: N 沟道,PowerTrench MOSFET,60V,195A,3.1mΩ
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06B_F102, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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