￥ 2.233

FDP054N10 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP054N10 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDP054N10 数据手册 (8 页)

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FDP054N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0046 Ω

极性

N-Channel

功耗

263 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

144A

输入电容值(Ciss)

13280pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

263 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

263W (Tc)

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FDP054N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDP054N10 符合标准

FDP054N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.78 MByte

FDP054N10 其他数据使用手册

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10 页 / 0.89 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V

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ON Semiconductor（安森美）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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