Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > FDP150N10A Datasheet 文档
FDP150N10A
0
FDP150N10A 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDP150N10A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
91W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
1440pF @50V(Vds)
耗散功率(Max)
91W (Tc)

FDP150N10A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP150N10A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.75 MByte

FDP150N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP150N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP150N10: N 沟道,PowerTrench MOSFET,100V,57A,15mΩ
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 100V , 50A , 15mÎ © N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z