￥ 0.655

FDP5500-F085 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道UltraFET功率MOSFET 55V ， 80A ， 12km朝© N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7mÎ©

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDP5500-F085 数据手册 (8 页)

FDP5500-F085 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

功耗

375 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

FDP5500-F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

查看数据手册 >

FDP5500-F085 符合标准

FDP5500-F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.41 MByte

FDP5500 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDP5500 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDP5500_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDP5500-F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDP5500_F085 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5500_F085, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号