FDPF10N60NZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF10N60NZ  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.64 ohm, 0.64 V, 5 V 新

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N沟道MOSFET ， FRFET 600V ， 9A ， 0.8Ω N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 5 V

N沟道MOSFET ， FRFET 600V ，9A ， 0.8Î © N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω