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FDPF12N60NZ
4.2
FDPF12N60NZ 数据手册 (10 页)
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FDPF12N60NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.53 Ω
极性
N-Channel
功耗
39 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
1676pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
39 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
39W (Tc)

FDPF12N60NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDPF12N60NZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.62 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.71 MByte

FDPF12N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UniFETTM II MOSFET的600 V , 12 A, 650英里???? N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 12 A, 650 m
ON Semiconductor(安森美)
FDPF12N60NZ 系列 600 V 12 A 650 mOhm N-沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-220F
Freescale(飞思卡尔)
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