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FDPF44N25T
1.056

FDPF44N25T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.058 Ω
极性
N-Channel
功耗
38 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
输入电容值(Ciss)
2870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
38 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38W (Tc)

FDPF44N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDPF44N25T 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.54 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.54 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FDPF44N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF44N25T  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 250 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF44N25T, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 250V 44A
Freescale(飞思卡尔)
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