器件3D模型

￥ 0.231

FDS6670A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS6670A 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

FDS6670A 数据手册 (10 页)

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FDS6670A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

13.0 A

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

8 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

2220pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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FDS6670A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDS6670A 符合标准

FDS6670A 海关信息

FDS6670A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.24 MByte

FDS6670A 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.24 MByte

FDS6670A 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V

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PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670A, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

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ON Semiconductor（安森美）

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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