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FDS6676S
器件3D模型
0.219
FDS6676S 数据手册 (6 页)
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FDS6676S 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
5.20 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
10.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.5 A
上升时间
10 ns
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDS6676S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDS6676S 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.73 MByte

FDS6676 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS6676AS 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
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