器件3D模型

￥ 3.087

FDS6679AZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FDS6679AZ 系列 P 沟道 30 V 9.3 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

6 技术参数、封装参数

查看文档

或点击图片查看大图

FDS6679AZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0077 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

2890pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

92 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

FDS6679AZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FDS6679AZ 符合标准

FDS6679AZ 概述

FDS6679AZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.46 MByte

FDS6679AZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.52 MByte

FDS6679 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6679 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 V

FDS6679 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDS6679 系列 30 V 9 mOhm 表面贴装 P 沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

FDS6679AZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDS6679AZ 系列 P 沟道 30 V 9.3 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8

FDS6679AZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDS6679Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

FDS6679Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDS6679/BKN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号