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FDS6680AS
器件3D模型
0.296
FDS6680AS 数据手册 (8 页)
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FDS6680AS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-11.5 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.01 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 mW
阈值电压
1.5 V
输入电容
1.24 nF
栅电荷
22.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
11.5 A
上升时间
5.00 ns
输入电容值(Ciss)
1240pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

FDS6680AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6680AS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.95 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.83 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.21 MByte

FDS6680 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6680  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6680A  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6680AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680A, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
集成电路
ON Semiconductor(安森美)
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